Rudolf Müller: Bauelemente der Halbleiter-Elektronik, Kartoniert / Broschiert
Bauelemente der Halbleiter-Elektronik
(soweit verfügbar beim Lieferanten)
- Verlag:
- Springer, 12/1991
- Einband:
- Kartoniert / Broschiert, Paperback
- Sprache:
- Deutsch
- ISBN-13:
- 9783540166382
- Artikelnummer:
- 2941846
- Umfang:
- 332 Seiten
- Sonstiges:
- 30 SW-Abb.,
- Nummer der Auflage:
- 91004
- Ausgabe:
- 4., überarb. Aufl.
- Copyright-Jahr:
- 1991
- Gewicht:
- 514 g
- Maße:
- 233 x 156 mm
- Stärke:
- 23 mm
- Erscheinungstermin:
- 4.12.1991
Beschreibung
Aus den Besprechungen: "Das Buch ist der zweite Band der Buchreihe Halbleiter-Elektronik und entstand aus Vorlesungen an der TU München. Es behandelt die technisch interessanten Halbleiter-Einzelbauelemente, wobei gewisse Grundkenntnisse der Halbleiterphysik vorausgesetzt werden, wie sie z. B. der erste Band dieser Reihe vermittelt. Der Schwerpunkt liegt auf der Beschreibung des grundsätzlichen Aufbaus der Bauelemente sowie der Erklärung ihrer Wirkungsweise und elektrischen Kenngrößen an vereinfachten Modellen. ... Gut ausgewählte Übungsaufgaben mit Lösungen bilden eine wesentliche Bereicherung des Buches, das Studenten der Elektrotechnik und Ingenieuren in der Praxis empfohlen werden darf, die sich über die Wirkungsweise von diskreten Halbleiterbauelementen unterrichten wollen." VDI-Zeitschrift
Inhaltsangabe
Physikalische Größen.- 1 Dioden.- 1.1 Kennlinie und Impedanz.- 1.2 Schaltverhalten.- 1.3 Rauschen.- 1.4 Ausführungsformen von Gleichrichterdioden.- 1.5 pin-Diode.- 1.6 p+sn+-Leistungsgleichrichter.- 1.7 Z-Diode.- 1.8 Rückwärts-Diode.- 1.9 Tunneldiode.- 1.10 Varaktordiode (Sperrschichtvaraktor, Speichervaraktor, MIS-Diode).- 1.11 Metall-Halbleiter-Kontakt (Schottky-Diode, Ohmscher Kontakt).- 1.12 Fotodiode und Solarzelle.- 1.13 Lumineszenz-und Laserdiode.- 1.14 Impatt-Diode.- 1.15 Gunn-und LSA-Diode.- Übungen.- 2 Injektionstransistoren.- 2.1 Aufbau und Wirkungsweise.- 2.2 Emitter-und Kollektorstrom.- 2.3 Basisstrom.- 2.4 Grundschaltungen.- 2.5 Kennlinienfelder.- 2.6 Kleinsignal-Ersatzschaltbilder.- 2.6.1 Einfaches Niederfrequenz-Ersatzschaltbild.- 2.6.2 Ladungsspeicherung in der Basis.- 2.6.3 Basisweitenmodulation.- 2.6.4 Basiswiderstand.- 2.6.5 Ersatzschaltbild für Emitterschaltung.- 2.6.6 Ersatzschaltbilder für Basis-und Kollektorschaltung.- 2.6.7 Grenzfrequenz.- 2.6.8 Abhängigkeit der Stromverstärkung vom Arbeitspunkt.- 2.6.9 Vierpolparameter.- 2.6.10 Vergleich der drei Grundschaltungsarten.- 2.7 Großsignalverhalten.- 2.7.1 Großsignal-Ersatzschaltbilder.- 2.7.2 Arbeitsbereiche.- 2.7.3 Schaltverhalten.- 2.8 Grenzdaten.- 2.9 Thermische Stabilität.- 2.10 Rauschen.- 2.11 Fototransistor.- Übungen.- 3 Feldeffekttransistoren.- 3.1 Einführung.- 3.2 Wirkungsweise des Sperrschicht-FET (JFET, junction FET).- 3.3 Ausfuhrungsformen des Sperrschicht-FET.- 3.4 Wirkungsweise und Betriebsarten des MIS-FET.- 3.4.1 MOS-FET-Verarmungsbetrieb.- 3.4.2 MOS-FET-Anreicherungsbetrieb.- 3.4.3 Symbole für MOS-FET.- 3.4.4 Daten und Kennlinien von MOS-FET.- 3.5 Ausführungsformen von MIS-FET.- 3.6 GaAs-MES-FET.- 3.7 Theorie der Ladungssteuerung.- 3.7.1 FET als Schalter.- 3.7.2 Einsatzspannung.- 3.7.3 FET als Lastwiderstand.- 3.7.4 Kurzkanaleffekte.- 3.8 Kleinsignalverhalten.- 3.9 Grundschaltungsarten von Kleinsignalverstärkern.- 3.10 Grenzfrequenz.- 3.11 Rauschen.- 3.12 Vergleich mit bipolaren Transistoren.- 3.13 Ladungsverschiebungselemente (CTD, CCD).- Übungen.- 4 Thyristoren.- 4.1 Kennlinienäste.- 4.2 Zündvorgang (Löschvorgang).- 4.3 Statische Eigenschaften des Hauptstromkreises.- 4.4 Zündstromkreis.- 4.5 Einschaltverhalten.- 4.5.1 Zündverzug.- 4.5.2 Zündung durch raschen Lastspannungsanstieg; du / dt-Verhalten.- 4.6 Ausschaltverhalten.- 4.6.1 Sperrverzögerungszeit.- 4.6.2 Freiwerdezeit.- 4.7 Aufbau des Thyristors.- 4.8 Sonderfomen von Thyristoren.- 4.8.1 Standardthyristor (phase control thyristor).- 4.8.2 Frequenzthyristor (Inverter Thyristor).- 4.8.3 Asymmetrische Thyristoren (ASCR = Asymmetric Silicon Controled Rectifier).- 4.8.4 Rückwärts leitende Thyristoren (RCT = Reverse Conduction Thyristor).- 4.8.5 Abschaltunterstützter Thyristor (GATT = Gate Assisted Turnoff Thyristor).- 4.8.6 Abschaltbarer Thyristor (GTO = Gate Turnoff Thyristor).- 4.8.7 FET-gesteuerter Thyristor (COMFET).- 4.8.8 Lichtgezündeter Thyristor.- 4.9 Triac (Zweiwegthyristor).- 4.10 Vergleich Transistor, Thyristor, Triac.- Übungen.- 5 Integrierte Schaltungen.- 5.1 Einleitung.- 5.2 Passive Bauelemente.- 5.3 Isolationstechniken.- 5.4 Parasitäre Effekte.- 5.5 Transistor als Last.- 5.6 Schottky-Transistor.- 5.7 Logikbausteine (Gatter).- 5.7.1 Integrated Injection Logic (I2L).- 5.7.2 CMOS-Technik (Complementary-MOS).- 5.8 Speicher.- 5.8.1 Programmierbare Festwertspeicher.- 5.8.2 Ein-Transistor-Speicherzelle.- 5.9 Entwurf, Herstellung und Prüfen.- 6 Spezielle Halbleiter-Bauelemente.- 6.1 Hall-Generator.- 6.2 Feldplatte.- 6.3 Fotowiderstand.- 6.4 Dehnungsmeßstreifen.- 6.5 Heißleiter (NTC-Widerstand).- 6.6 Kaltleiter (PTC-Widerstand).- 6.7 Chemosensoren.- 6.8 Thermoelektrischer Energiewandler.- 6.9 Thermoelektrischer Kühler.- 6.10 Varistoren.- 7 Anhang.- 7.1 Rauschen.- 7.2 Influenzstrom.- 7.3 Laserprinzip.- 7.4 Diodenkennlinie bei überwiegender Generation / Rekombination in der Raumladungszone.- 7.5 Verknüpfung zwischen normalen Strahlungsgrößen und foto
Klappentext
Physikalische Größen.- 1 Dioden.- 1.1 Kennlinie und Impedanz.- 1.2 Schaltverhalten.- 1.3 Rauschen.- 1.4 Ausführungsformen von Gleichrichterdioden.- 1.5 pin-Diode.- 1.6 p+sn+-Leistungsgleichrichter.- 1.7 Z-Diode.- 1.8 Rückwärts-Diode.- 1.9 Tunneldiode.- 1.10 Varaktordiode (Sperrschichtvaraktor, Speichervaraktor, MIS-Diode).- 1.11 Metall-Halbleiter-Kontakt (Schottky-Diode, Ohmscher Kontakt).- 1.12 Fotodiode und Solarzelle.- 1.13 Lumineszenz-und Laserdiode.- 1.14 Impatt-Diode.- 1.15 Gunn-und LSA-Diode.- Übungen.- 2 Injektionstransistoren.- 2.1 Aufbau und Wirkungsweise.- 2.2 Emitter-und Kollektorstrom.- 2.3 Basisstrom.- 2.4 Grundschaltungen.- 2.5 Kennlinienfelder.- 2.6 Kleinsignal-Ersatzschaltbilder.- 2.7 Großsignalverhalten.- 2.8 Grenzdaten.- 2.9 Thermische Stabilität.- 2.10 Rauschen.- 2.11 Fototransistor.- Übungen.- 3 Feldeffekttransistoren.- 3.1 Einführung.- 3.2 Wirkungsweise des Sperrschicht-FET (JFET, junction FET).- 3.3 Ausfuhrungsformen des Sperrschicht-FET.- 3.4 Wirkungsweise und Betriebsarten des MIS-FET.- 3.5 Ausführungsformen von MIS-FET.- 3.6 GaAs-MES-FET.- 3.7 Theorie der Ladungssteuerung.- 3.8 Kleinsignalverhalten.- 3.9 Grundschaltungsarten von Kleinsignalverstärkern.- 3.10 Grenzfrequenz.- 3.11 Rauschen.- 3.12 Vergleich mit bipolaren Transistoren.- 3.13 Ladungsverschiebungselemente (CTD, CCD).- Übungen.- 4 Thyristoren.- 4.1 Kennlinienäste.- 4.2 Zündvorgang (Löschvorgang).- 4.3 Statische Eigenschaften des Hauptstromkreises.- 4.4 Zündstromkreis.- 4.5 Einschaltverhalten.- 4.6 Ausschaltverhalten.- 4.7 Aufbau des Thyristors.- 4.8 Sonderfomen von Thyristoren.- 4.9 Triac (Zweiwegthyristor).- 4.10 Vergleich Transistor, Thyristor, Triac.- Übungen.- 5 Integrierte Schaltungen.- 5.1 Einleitung.- 5.2 Passive Bauelemente.- 5.3 Isolationstechniken.- 5.4Parasitäre Effekte.- 5.5 Transistor als Last.- 5.6 Schottky-Transistor.- 5.7 Logikbausteine (Gatter).- 5.8 Speicher.- 5.9 Entwurf, Herstellung und Prüfen.- 6 Spezielle Halbleiter-Bauelemente.- 6.1 Hall-Generator.- 6.2 Feldplatte.- 6.3 Fotowiderstand.- 6.4 Dehnungsmeßstreifen.- 6.5 Heißleiter (NTC-Widerstand).- 6.6 Kaltleiter (PTC-Widerstand).- 6.7 Chemosensoren.- 6.8 Thermoelektrischer Energiewandler.- 6.9 Thermoelektrischer Kühler.- 6.10 Varistoren.- 7 Anhang.- 7.1 Rauschen.- 7.2 Influenzstrom.- 7.3 Laserprinzip.- 7.4 Diodenkennlinie bei überwiegender Generation / Rekombination in der Raumladungszone.- 7.5 Verknüpfung zwischen normalen Strahlungsgrößen und fotometrischen Größen.- 7.6 "Zweidimensionales" Elektronengas.- 7.7 Gummel-Poon-Modell.
Biografie
Dr. Rudolf Müller, geboren 1944, Studium der Betriebswirtschaft in München, mehr als 20 Jahre lang geschäftsführender Gesellschafter in mittelständischen Unternehmen. Tätigkeitsschwerpunkte: internationales Marketing, Personal- und Organisationsentwicklung. Er lebt in Aschau, südlich des Chiemsees, und leitet das Institut für Unternehmensentwicklung.Anmerkungen:
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